扬杰科技是一家以低中压MOSFET系列、IGBT模块系列、1200V 80mΩ SiC MOSFET为代表产品、服务于功率半导体与宽禁带相关市场的功率半导体IDM供应商。
扬杰科技按去重表归属功率半导体与宽禁带，唯一核心子行业为MOSFET。正式关联子行业包括MOSFET、IGBT与功率模块、SiC与GaN功率器件；企业通过低中压MOSFET系列、IGBT模块系列、1200V 80mΩ SiC MOSFET等产品或能力参与产业链。
总控表将扬杰科技唯一核心子行业确定为MOSFET。扬杰科技在该子行业的代表性来自低中压MOSFET系列、IGBT模块系列、1200V 80mΩ SiC MOSFET等产品/能力；其它业务仅在去重表明确确认且存在直接证据时作为正式关联保留。
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扬杰科技与功率半导体与宽禁带的母行业关系由去重表确认；具体产品通过已确认的正式子行业进入该产业链。
扬杰科技通过低中压MOSFET系列参与MOSFET，关系来自去重表并经正式行业目录核对。
扬杰科技通过IGBT模块系列参与IGBT与功率模块，关系来自去重表并经正式行业目录核对。
扬杰科技通过1200V 80mΩ SiC MOSFET参与SiC与GaN功率器件，关系来自去重表并经正式行业目录核对。
去重表确认其核心归属为功率半导体与宽禁带｜MOSFET，并保留其它正式关联。当前判断以产品功能、交付形态和正式行业目录为边界，不把客户应用场景扩张为新的行业关系。
扬杰科技围绕低中压MOSFET系列、IGBT模块系列、1200V 80mΩ SiC MOSFET形成器件设计、工艺、封装/模块化及质量验证能力；功率半导体的效率、可靠性与长期供货构成客户切换成本。
在MOSFET及相关正式子行业中，产品规格、可靠性验证和供货能力可形成客户入口与迁移成本。
若半导体周期转弱、库存上升、价格竞争或替代器件路线加速，订单、ASP和产能利用率可能承压。
低中压MOSFET系列属于MOSFET，覆盖N沟道、P沟道及多种封装产品，用于BMS、储能、电源与工业控制。
IGBT模块系列属于IGBT与功率模块，面向伺服、变频、新能源和功率变换等系统。
1200V 80mΩ SiC MOSFET属于SiC与GaN功率器件，适用于高压、高频开关和光伏逆变等功率转换场景。
扬杰科技围绕低中压MOSFET系列、IGBT模块系列、1200V 80mΩ SiC MOSFET形成器件设计、工艺、封装/模块化及质量验证能力；功率半导体的效率、可靠性与长期供货构成客户切换成本。
若功率器件价格竞争加剧、客户平台切换、先进工艺迭代落后或产能利用率下滑，既有产品组合的盈利与客户黏性可能承压。
成熟功率半导体产品通过持续出货、客户平台认证和多终端应用形成商业兑现；车规和工业产品的认证与生命周期有助于提高订单持续性。
若汽车/工业需求放缓、库存调整持续或新产能集中释放，出货、价格与毛利可能波动。
在MOSFET及相关正式子行业中，产品规格、可靠性验证和供货能力可形成客户入口与迁移成本。
对整机平台和终端需求缺乏直接控制，产业影响力主要通过器件性能、成本与供应稳定性实现。
汽车、工业、能源和电子等多终端需求可对单一市场波动形成一定缓冲。
若半导体周期转弱、库存上升、价格竞争或替代器件路线加速，订单、ASP和产能利用率可能承压。
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